图片经供参考,以实物为准

单片IGBT晶体管 / APT50GS60BRDQ2G
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: APT50GS60BRDQ2G
- 厂商: Microsemi Corporation
- 类别: 单片IGBT晶体管
- 封装: TO-247-3
- 描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 93A 3-Pin(3 Tab) TO-247
- 库存地点: 内地
- 库存: 52388
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:25 Weeks
- 底架:通孔
- 安装类型:通孔
- 包装/外壳:TO-247-3
- 质量:38.000013g
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:600V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:2.8V
- Test Conditions:400V, 40A, 4.7 Ω, 15V
- 操作温度:-55°C~150°C TJ
- 包装:Tube
- 系列:Thunderbolt IGBT®
- 已出版:1999
- 无铅代码:no
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 最大功率耗散:415W
- 元素配置:Single
- 输入类型:Standard
- 集电极发射器电压(VCEO):600V
- 最大集电极电流:93A
- 反向恢复时间:25 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3.15V @ 15V, 50A
- 连续集电极电流:93A
- IGBT类型:NPT
- 闸门收费:235nC
- 集极脉冲电流(Icm):195A
- Td(开/关)@25°C:16ns/225ns
- 开关能量:755μJ (off)
- 高度:5.31mm
- 长度:21.46mm
- 宽度:16.26mm
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:符合RoHS标准
- 无铅:无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
APT50GS60BRDQ2G Microsemi Corporation
IRGP4063DPBF Infineon Technologies
IRGP50B60PD1PBF Infineon Technologies
IRGP50B60PDPBF Infineon Technologies
RJH60D5BDPQ-E0#T2 Renesas Electronics America

