图片经供参考,以实物为准

单片IGBT晶体管 / NGTB30N135IHR1WG
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: NGTB30N135IHR1WG
- 厂商: onsemi(安森美)
- 类别: 单片IGBT晶体管
- 封装: TO-247-3
- 描述: In a Pack of 2, ON Semiconductor NGTB30N135IHR1WG IGBT, 60 A 1350 V, 3-Pin TO-247
- 库存地点: 内地
- 库存: 36
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态:ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- 工厂交货时间:5 Weeks
- 底架:通孔
- 安装类型:通孔
- 包装/外壳:TO-247-3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:1.35kV
- Test Conditions:600V, 30A, 10 Ω, 15V
- 操作温度:-40°C~175°C TJ
- 包装:Tube
- 已出版:2015
- 无铅代码:yes
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 最大功率耗散:394W
- 输入类型:Standard
- 功率 - 最大:394W
- 集电极发射器电压(VCEO):3V
- 最大集电极电流:60A
- 电压 - 集射极击穿(最大值):1350V
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3V @ 15V, 30A
- IGBT类型:沟渠现场停车
- 闸门收费:220nC
- 集极脉冲电流(Icm):120A
- Td(开/关)@25°C:-/200ns
- 开关能量:630μA (off)
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 无铅:无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
NGTB30N135IHR1WG ON Semiconductor
IGW30N100TFKSA1 Infineon Technologies
FGH30S150P ON Semiconductor
STGWA30N120KD STMicroelectronics
IRG8P40N120KDPBF Infineon Technologies

