简体中文
图片经供参考，以实物为准
单片IGBT晶体管 / STGP19NC60KD
- 价格 起订量
- ￥ 20.86185 1+
- ￥ 19.68099 10+
- ￥ 18.56697 100+
- ￥ 17.51601 500+
- ￥ 16.52454 1000+
- 型号： STGP19NC60KD
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 3-Pin(3 Tab) TO-220 T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 3000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 20.86185
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 质量：6.000006g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：600V
- Number of Elements：1
- Test Conditions：480V, 12A, 10 Ω, 15V
- Turn Off Delay Time：105 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：PowerMESH™
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：125W
- 基本部件号：STGP19
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 元素配置：Single
- 输入类型：Standard
- 接通延迟时间：30 ns
- 功率 - 最大：125W
- 晶体管应用：电源控制
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO)：600V
- 最大集电极电流：35A
- 反向恢复时间：31 ns
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 接通时间：38 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.75V @ 15V, 12A
- 关断时间-标准值（toff)：270 ns
- 闸门收费：55nC
- 集极脉冲电流（Icm）：75A
- Td（开/关）@25°C：30ns/105ns
- 开关能量：165μJ (on), 255μJ (off)
- 栅极-发射极电压-最大值：20V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值：6.5V
- 高度：9.15mm
- 长度：10.4mm
- 宽度：4.6mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
STGP19NC60KD STMicroelectronics- STGP7NC60HD STMicroelectronics
- STGP14NC60KD STMicroelectronics
- STGP10NC60KD STMicroelectronics
SGP20N60HSXKSA1 Infineon Technologies
