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图片经供参考，以实物为准
单片IGBT晶体管 / IXYH30N120C3D1
- 价格 起订量
- ￥ 66.80307 1+
- ￥ 63.02177 10+
- ￥ 59.45450 100+
- ￥ 56.08915 500+
- ￥ 52.91429 1000+
- 型号： IXYH30N120C3D1
- 厂商： IXYS
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： IGBT Transistors XPT 1200V IGBT GenX4 XPT IGBT
- 库存地点： 内地
- 库存： 32363
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 66.80307
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：28 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：1.2kV
- Collector-Emitter Saturation Voltage：3.7V
- Number of Elements：1
- Test Conditions：600V, 30A, 10 Ω, 15V
- Turn Off Delay Time：126 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：GenX3™, XPT™
- 已出版：2012
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 最大功率耗散：416W
- 元素配置：Single
- 功率耗散：416W
- 箱体转运：COLLECTOR
- 输入类型：Standard
- 接通延迟时间：23 ns
- 晶体管应用：电源控制
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO)：1.2kV
- 最大集电极电流：66A
- 反向恢复时间：195ns
- JEDEC-95代码：TO-247AD
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
- 接通时间：71 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：3.3V @ 15V, 30A
- 关断时间-标准值（toff)：296 ns
- 闸门收费：69nC
- 集极脉冲电流（Icm）：133A
- Td（开/关）@25°C：19ns/130ns
- 开关能量：2.6mJ (on), 1.1mJ (off)
- 栅极-发射极电压-最大值：20V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值：5V
- 高度：21.46mm
- 长度：16.26mm
- 宽度：5.3mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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