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单片IGBT晶体管 / APT15GP90BDQ1G
- 价格 起订量
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- 型号： APT15GP90BDQ1G
- 厂商： Microsemi Corporation
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： IGBT 900V 43A 250W TO247
- 库存地点： 内地
- 库存： 8
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：900V
- Number of Elements：1
- Test Conditions：600V, 15A, 4.3 Ω, 15V
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：POWER MOS 7®
- 已出版：1999
- JESD-609代码：e1
- 无铅代码：yes
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 端子表面处理：锡银铜
- 附加功能：低导通损耗
- 电压 - 额定直流：900V
- 最大功率耗散：250W
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 额定电流：43A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 资历状况：不合格
- 元素配置：Single
- 箱体转运：COLLECTOR
- 输入类型：Standard
- 晶体管应用：电源控制
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO)：900V
- 最大集电极电流：43A
- JEDEC-95代码：TO-247AD
- 接通时间：23 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：3.9V @ 15V, 15A
- 关断时间-标准值（toff)：170 ns
- IGBT类型：PT
- 闸门收费：60nC
- 集极脉冲电流（Icm）：60A
- Td（开/关）@25°C：9ns/33ns
- 开关能量：200μJ (off)
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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