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单片IGBT晶体管 / APT35GA90B
- 价格 起订量
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- 型号： APT35GA90B
- 厂商： Microsemi Corporation
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： IGBT 900V 63A 290W TO-247
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：32 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：900V
- Number of Elements：1
- Test Conditions：600V, 18A, 10 Ω, 15V
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：POWER MOS 8™
- JESD-609代码：e1
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 端子表面处理：锡银铜
- 附加功能：低导通损耗
- 最大功率耗散：290W
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 元素配置：Single
- 箱体转运：COLLECTOR
- 输入类型：Standard
- 功率 - 最大：290W
- 晶体管应用：电源控制
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO)：900V
- 最大集电极电流：63A
- 接通时间：25 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：3.1V @ 15V, 18A
- 关断时间-标准值（toff)：298 ns
- IGBT类型：PT
- 闸门收费：84nC
- 集极脉冲电流（Icm）：105A
- Td（开/关）@25°C：12ns/104ns
- 开关能量：642μJ (on), 382μJ (off)
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
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