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图片经供参考，以实物为准
单片IGBT晶体管 / STGW30NC60VD
- 价格 起订量
- ￥ 25.71580 1+
- ￥ 24.26019 10+
- ￥ 22.88697 100+
- ￥ 21.59149 500+
- ￥ 20.36933 1000+
- 型号： STGW30NC60VD
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
- 库存地点： 内地
- 库存： 185
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 25.71580
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：600V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2.5V
- Number of Elements：1
- Test Conditions：390V, 20A, 3.3 Ω, 15V
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：PowerMESH™
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：250W
- 基本部件号：STGW30
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 功率耗散：250W
- 输入类型：Standard
- 晶体管应用：电源控制
- 上升时间：11ns
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO)：600V
- 最大集电极电流：80A
- 反向恢复时间：44ns
- 接通时间：42.5 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V, 20A
- 关断时间-标准值（toff)：280 ns
- 闸门收费：100nC
- 集极脉冲电流（Icm）：150A
- Td（开/关）@25°C：31ns/100ns
- 开关能量：220μJ (on), 330μJ (off)
- 栅极-发射极电压-最大值：20V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值：5.75V
- 高度：21.07mm
- 长度：16.02mm
- 宽度：5.15mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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