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单片IGBT晶体管 / FGA20N120FTDTU
- 价格 起订量
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- 型号： FGA20N120FTDTU
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-3P-3, SC-65-3
- 描述： Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 40A 3-Pin(3 Tab) TO-3PN Tube
- 库存地点： 内地
- 库存： 6800
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- 工厂交货时间：11 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-3P-3, SC-65-3
- 引脚数：3
- 质量：6.401g
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：1.2kV
- Turn Off Delay Time：143 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 已出版：2011
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- HTS代码：8541.29.00.95
- 最大功率耗散：298W
- 元素配置：Single
- 输入类型：Standard
- 接通延迟时间：30 ns
- 功率 - 最大：298W
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO)：1.2kV
- 最大集电极电流：40A
- 反向恢复时间：447 ns
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
- 最大击穿电压：1.2kV
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V, 20A
- IGBT类型：沟渠现场停车
- 闸门收费：137nC
- 集极脉冲电流（Icm）：60A
- 栅极-发射极电压-最大值：25V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值：7.5V
- 高度：18.9mm
- 长度：15.8mm
- 宽度：5mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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