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图片经供参考，以实物为准
单片IGBT晶体管 / FGA30N65SMD
- 价格 起订量
- ￥ 40.33466 1+
- ￥ 38.05157 10+
- ￥ 35.89771 100+
- ￥ 33.86576 500+
- ￥ 31.94883 1000+
- 型号： FGA30N65SMD
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-3P-3, SC-65-3
- 描述： IGBT Transistors 650V 30A FS Planar Gen2 IGBT
- 库存地点： 内地
- 库存： 9000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 40.33466
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：5 Weeks
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- 包装/外壳：TO-3P-3, SC-65-3
- 安装类型：通孔
- 底架：通孔
- 引脚数：3
- 质量：6.401g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：650V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2.29V
- Test Conditions：400V, 30A, 6 Ω, 15V
- Number of Elements：1
- 已出版：2012
- 包装：Tube
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- HTS代码：8541.29.00.95
- 最大功率耗散：300W
- 元素配置：Single
- 功率耗散：300W
- 输入类型：Standard
- 晶体管应用：电源控制
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO)：650V
- 最大集电极电流：60A
- 反向恢复时间：35ns
- 接通时间：41 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V, 30A
- 关断时间-标准值（toff)：125 ns
- IGBT类型：场站
- 闸门收费：87nC
- 集极脉冲电流（Icm）：90A
- Td（开/关）@25°C：14ns/102ns
- 开关能量：716μJ (on), 208μJ (off)
- 栅极-发射极电压-最大值：20V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值：6V
- 宽度：5mm
- 长度：16.2mm
- 高度：20.1mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 辐射硬化：无
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