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单片IGBT晶体管 / STGW50H60DF
- 价格 起订量
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- 型号： STGW50H60DF
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： IGBT Transistors 50A 600V FST IGBT Ultrafast Diode
- 库存地点： 内地
- 库存： 40
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 质量：6.500007g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：600V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.8V
- Number of Elements：1
- Test Conditions：400V, 50A, 10 Ω, 15V
- Turn Off Delay Time：205 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最大功率耗散：360W
- 基本部件号：STGW50
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 元素配置：Single
- 输入类型：Standard
- 接通延迟时间：62 ns
- 功率 - 最大：360W
- 晶体管应用：电源控制
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO)：600V
- 最大集电极电流：100A
- 反向恢复时间：55 ns
- 接通时间：91 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.8V @ 15V, 50A
- 关断时间-标准值（toff)：285 ns
- IGBT类型：沟渠现场停车
- 闸门收费：217nC
- 集极脉冲电流（Icm）：200A
- Td（开/关）@25°C：62ns/178ns
- 开关能量：890μJ (on), 860μJ (off)
- 栅极-发射极电压-最大值：20V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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