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MOSFETs 晶体管阵列 / IRFHE4250DTRPBF
- 价格 起订量
- ￥ 12.04861 1+
- ￥ 11.36662 10+
- ￥ 10.72322 100+
- ￥ 10.11625 500+
- ￥ 9.54363 1000+
- 型号： IRFHE4250DTRPBF
- 厂商： International Rectifier
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 32-PowerVFQFN
- 描述： HEXFET POWER MOSFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 8145
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 12.04861
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：32-PowerVFQFN
- 供应商器件包装：32-PQFN (6x6)
- Package：Bulk
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：86A (Tc), 303A (Tc)
- 厂商：International Rectifier
- Product Status：活跃
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 系列：HEXFET®
- 功率 - 最大：156W (Tc)
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- Rds On(Max)@Id,Vgs：2.75mOhm @ 27A, 10V, 900µOhm @ 27A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V
- 漏源电压 (Vdss)：25V
- 场效应管特性：Standard
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