简体中文
图片经供参考，以实物为准
单相齐纳二极管 / BZX84C4V7
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： BZX84C4V7
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相齐纳二极管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： DIODE ZENER 4.7V 350MW SOT23-3
- 库存地点： 内地
- 库存： 30000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：SOT-23-3 (TO-236)
- 质量：59.987591mg
- Breakdown Voltage / V：4.7V
- 操作温度：-55°C~150°C
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2004
- 容差：±6%
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 电容量：260pF
- 额定功率：350mW
- 电压 - 额定直流：4.7V
- 最大功率耗散：350mW
- 基本部件号：BZX84C4V7
- 工作电压：4.7V
- 阻抗：80Ohm
- 元素配置：Single
- 电流：2A
- 反向泄漏电流@ Vr：3μA @ 2V
- 功率耗散：350mW
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：900mV @ 10mA
- 功率 - 最大：350mW
- 最大反向漏电电流：3μA
- 阻抗-最大：80Ohms
- 测试电流：5mA
- 正向电压：900mV
- 电压 - 齐纳（标准值）（Vz）：4.7V
- 齐纳电压：4.7V
- 峰值反向电流：3μA
- 电压允差：5%
- ESD保护：无
- 齐纳电流：5mA
- 高度：930μm
- 长度：2.92mm
- 宽度：1.3mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
BZX84C4V7 ON Semiconductor
BZX84C4V3-7-F Diodes Incorporated- BZX84C3V9-7-F Diodes Incorporated
- MMBZ5230B ON Semiconductor
