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BJT 晶体管阵列 / JAN2N2919U
- 价格 起订量
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- 型号： JAN2N2919U
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： BJT 晶体管阵列
- 封装： 3-SMD, No Lead
- 描述： TRANS 2NPN 60V 0.03A
- 库存地点： 内地
- 库存： 5
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：3-SMD, No Lead
- 表面安装：YES
- 供应商器件包装：3-SMD
- 终端数量：6
- 晶体管元件材料：SILICON
- Package：Bulk
- Current-Collector (Ic) (Max)：30mA
- Base Product Number：2N2919
- 厂商：微芯片技术
- Product Status：活跃
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6
- Package Style：小概要
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：20
- Operating Temperature-Max：200 °C
- Rohs Code：无
- Manufacturer Part Number：JAN2N2919U
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Microsemi Corporation
- Number of Elements：2
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Risk Rank：5.24
- 操作温度：200°C (TJ)
- 系列：Military, MIL-PRF-19500/355
- JESD-609代码：e0
- 无铅代码：无
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Lead (Sn/Pb)
- HTS代码：8541.21.00.95
- 子类别：其他晶体管
- 技术：Si
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：无铅
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：235
- Reach合规守则：compliant
- 参考标准：MIL-19500
- JESD-30代码：R-PDSO-N6
- 资历状况：Qualified
- 配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
- 功率 - 最大：350mW
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：2 NPN (Dual)
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：150 @ 1mA, 5V
- 最大集极截止电流：10µA (ICBO)
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：300mV @ 100µA, 1mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：60V
- 频率转换：-
- 最大耗散功率(Abs)：1.25 W
- 集电极电流-最大值(IC)：0.03 A
- 最小直流增益（hFE）：150
- 集电极-发射器电压-最大值：60 V
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