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BJT 晶体管阵列 / BC847BS_R1_00001
- 价格 起订量
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- 型号： BC847BS_R1_00001
- 厂商： Panjit
- 类别： BJT 晶体管阵列
- 封装： SOT-363-6
- 描述： Bipolar Transistors - BJT NPNGENERALPURPOSEDUALTRANSISTOR VCE45V IC100mA
- 库存地点： 内地
- 库存： 15000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：SOT-363-6
- 安装类型：表面贴装
- 供应商器件包装：SOT-363
- Emitter- Base Voltage VEBO：6 V
- Pd - Power Dissipation：300 mW
- Transistor Polarity：NPN
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- DC Collector/Base Gain hfe Min：200
- Collector-Emitter Saturation Voltage：600 mV
- Unit Weight：0.000280 oz
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：3000
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Gain Bandwidth Product fT：100 MHz
- Manufacturer：Panjit
- Brand：Panjit
- Maximum DC Collector Current：100 mA
- DC Current Gain hFE Max：450
- RoHS：Details
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：45 V
- Package：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Current-Collector (Ic) (Max)：100mA
- 厂商：Panjit International Inc.
- Product Status：活跃
- 系列：DT-02TSN
- 包装：MouseReel
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 子类别：Transistors
- 技术：Si
- 配置：Dual
- 功率 - 最大：300mW
- 产品类别：BJTs - Bipolar Transistors
- 晶体管类型：2 NPN (Dual)
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：200 @ 2mA, 5V
- 最大集极截止电流：15nA (ICBO)
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：600mV @ 5mA, 100mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：45V
- 频率转换：100MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：50 V
- 连续集电极电流：100 mA
- 产品类别：Bipolar Transistors - BJT
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