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单相齐纳二极管 / MMBZ5256B-7-F
- 价格 起订量
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- ￥ 0.61940 1000+
- 型号： MMBZ5256B-7-F
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单相齐纳二极管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： DIODE ZENER 30V 350MW SOT23-3
- 库存地点： 内地
- 库存： 12000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.78198
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：19 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数：3
- 质量：7.994566mg
- 二极管元件材料：SILICON
- Number of Elements：1
- 操作温度：-65°C~150°C
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2008
- 容差：±5%
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 终端：SMD/SMT
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- HTS代码：8541.10.00.50
- 额定功率：350mW
- 电压 - 额定直流：30V
- 最大功率耗散：350mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 基本部件号：MMBZ5256B
- 引脚数量：3
- 极性：UNIDIRECTIONAL
- 阻抗：49Ohm
- 元素配置：Single
- 二极管类型：泽纳电极
- 反向泄漏电流@ Vr：100nA @ 23V
- 功率耗散：350mW
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：900mV @ 10mA
- 最大反向漏电电流：100nA
- 阻抗-最大：49Ohm
- 测试电流：4.2mA
- 参考电压：30V
- 正向电压：900mV
- 齐纳电压：30V
- 最大电压允差：5%
- 峰值反向电流：100nA
- 电压允差：5%
- ESD保护：无
- 齐纳电流：100nA
- 高度：1mm
- 长度：2.9mm
- 宽度：2.4mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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