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图片经供参考，以实物为准
光隔离器 - 晶体管，光电输出 / H11F3VM
- 价格 起订量
- ￥ 10.75833 1+
- ￥ 10.14937 10+
- ￥ 9.57487 100+
- ￥ 9.03290 500+
- ￥ 8.52160 1000+
- 型号： H11F3VM
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 光隔离器 - 晶体管，光电输出
- 封装： 6-DIP (0.300, 7.62mm)
- 描述： OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP
- 库存地点： 内地
- 库存： 687
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 10.75833
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 2 weeks ago)
- 工厂交货时间：7 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：6-DIP (0.300, 7.62mm)
- 引脚数：6
- 质量：855mg
- Power Dissipation (Max)：300mW
- Number of Elements：1
- 操作温度：-40°C~100°C
- 包装：Tube
- 已出版：2008
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 附加功能：UL RECOGNIZED, VDE APPROVED
- 电压-隔离度：7500Vpk
- 输出类型：MOSFET
- 配置：SINGLE
- 通道数量：1
- 功率耗散：300mW
- 电压 - 正向 (Vf) (类型)：1.3V
- 输入类型：DC
- 光电子器件类型：fet输出光耦合器
- 正向电流：16mA
- 最大输出电压：15V
- 反向击穿电压：5V
- 最大输入电流：60mA
- 通态电流最大值：1A
- 接通 / 关断时间（典型值）：45μs, 45μs (Max)
- 反向电压(直流电)：5V
- 最小击穿电压：15V
- 响应时间-最大：0.000025s
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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