简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / JAN2N6766T1
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： JAN2N6766T1
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装：
- 描述： Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3 Tab) TO-254
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：NO
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Package Description：FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：UNSPECIFIED
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Manufacturer Part Number：JAN2N6766T1
- Package Shape：SQUARE
- Manufacturer：Microsemi Corporation
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Risk Rank：5.75
- Part Package Code：TO-254AA
- Drain Current-Max (ID)：30 A
- JESD-609代码：e0
- 无铅代码：无
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：锡铅
- 子类别：FET 通用电源
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：PIN/PEG
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：compliant
- 引脚数量：3
- 参考标准：MIL-19500/543
- JESD-30代码：S-XSFM-P3
- 资历状况：Qualified
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：ISOLATED
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- JEDEC-95代码：TO-254AA
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.065 Ω
- DS 击穿电压-最小值：200 V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：150 W
相关产品
