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单MOSFET晶体管 / HUF75309D3ST_NL
- 价格 起订量
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- 型号： HUF75309D3ST_NL
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装：
- 描述： 19A, 55V, 0.07ohm, N-Channel Power MOSFET, TO-252AA
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 终端数量：2
- 晶体管元件材料：SILICON
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Package Style：小概要
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：175 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：HUF75309D3ST_NL
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Fairchild Semiconductor Corporation
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
- Risk Rank：5.13
- Drain Current-Max (ID)：19 A
- JESD-609代码：e3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 子类别：FET 通用电源
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- JEDEC-95代码：TO-252AA
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：19 A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.07 Ω
- DS 击穿电压-最小值：55 V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：55 W
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