简体中文
图片经供参考，以实物为准
存储器 / 71V416S10PH
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： 71V416S10PH
- 厂商： RENESAS(瑞萨/IDT)
- 类别： 存储器
- 封装：
- 描述： SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 终端数量：44
- Package Description：0.400 INCH, TSOP2-44
- Package Style：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
- Number of Words Code：256000
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Operating Temperature-Min：-40 °C
- Access Time-Max：10 ns
- Operating Temperature-Max：85 °C
- Manufacturer Part Number：71V416S10PH
- Number of Words：262144 words
- Supply Voltage-Nom (Vsup)：3.3 V
- Package Code：TSOP2
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Rochester Electronics LLC
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Risk Rank：5.63
- Part Package Code：TSOP2
- JESD-609代码：e0
- 端子表面处理：锡铅
- 技术：CMOS
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 功能数量：1
- 端子间距：0.8 mm
- Reach合规守则：unknown
- 引脚数量：44
- JESD-30代码：R-PDSO-G44
- 资历状况：COMMERCIAL
- 电源电压-最大值(Vsup)：3.6 V
- 温度等级：INDUSTRIAL
- 电源电压-最小值(Vsup)：3 V
- 操作模式：ASYNCHRONOUS
- 组织结构：256KX16
- 座位高度-最大：1.2 mm
- 记忆密度：4194304 bit
- 并行/串行：PARALLEL
- 内存IC类型：标准SRAM
- 宽度：10.16 mm
- 长度：18.41 mm
相关产品
