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存储器 / IS41LV16105B-60TI
- 价格 起订量
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- 型号： IS41LV16105B-60TI
- 厂商： ISSI(美国芯成)
- 类别： 存储器
- 封装：
- 描述： DRAM 16M 1Mx16 60ns
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 终端数量：44
- Package Description：0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44/50
- Package Style：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
- Moisture Sensitivity Levels：3
- Number of Words Code：1000000
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Package Equivalence Code：TSOP44/50,.46,32
- Operating Temperature-Min：-40 °C
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Access Time-Max：60 ns
- Operating Temperature-Max：85 °C
- Rohs Code：无
- Manufacturer Part Number：IS41LV16105B-60TI
- Number of Words：1048576 words
- Supply Voltage-Nom (Vsup)：3.3 V
- Package Code：TSOP2
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Integrated Silicon Solution Inc
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
- Risk Rank：5.77
- Part Package Code：TSOP2
- JESD-609代码：e0
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Lead (Sn/Pb)
- 附加功能：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/AUTO REFRESH
- HTS代码：8542.32.00.02
- 子类别：DRAMs
- 技术：CMOS
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 功能数量：1
- 端子间距：0.8 mm
- Reach合规守则：unknown
- 引脚数量：44
- JESD-30代码：R-PDSO-G44
- 资历状况：不合格
- 电源电压-最大值(Vsup)：3.6 V
- 电源：3.3 V
- 温度等级：INDUSTRIAL
- 电源电压-最小值(Vsup)：3 V
- 端口的数量：1
- 操作模式：ASYNCHRONOUS
- 电源电流-最大值：0.16 mA
- 组织结构：1MX16
- 输出特性：3-STATE
- 座位高度-最大：1.2 mm
- 内存宽度：16
- 待机电流-最大值：0.002 A
- 记忆密度：16777216 bit
- I/O类型：COMMON
- 内存IC类型：快速页面 DRAM
- 刷新周期：1024
- 访问模式：快速页面
- 自我刷新：NO
- 宽度：10.16 mm
- 长度：20.95 mm
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