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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / DTA114ESA
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
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- ￥ 0 1000+
- 型号： DTA114ESA
- 厂商： ROHM Semiconductor
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装：
- 描述： Bipolar Transistors - BJT Digital Transistor PNP
- 库存地点： 内地
- 库存： 22000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：NO
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Package：Bulk
- Base Product Number：160112
- 厂商：Molex
- Product Status：活跃
- Package Description：IN-LINE, R-PSIP-T3
- Package Style：IN-LINE
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Transition Frequency-Nom (fT)：250 MHz
- Manufacturer Part Number：DTA114ESA
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：ROHM 半导体
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：ROHM CO LTD
- Risk Rank：5.35
- 系列：*
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
- HTS代码：8541.21.00.75
- 子类别：BIP 通用小信号
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：unknown
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSIP-T3
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：PNP
- 最大耗散功率(Abs)：0.3 W
- 集电极电流-最大值(IC)：0.05 A
- 最小直流增益（hFE）：30
- 集电极-发射器电压-最大值：50 V
- VCEsat-最大值：0.3 V
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