图片经供参考,以实物为准

单相BJT晶体管 / NSVBC857CWT1G-M02
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: NSVBC857CWT1G-M02
- 厂商: onsemi(安森美)
- 类别: 单相BJT晶体管
- 封装: DO-201AA, DO-27, Axial
- 描述: NSVBC857CWT1G-M02
- 库存地点: 内地
- 库存: 暂无库存
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型:通孔
- 包装/外壳:DO-201AA, DO-27, Axial
- 供应商器件包装:CASE-1
- Package:Bulk
- Base Product Number:1.5KE16
- 厂商:微芯片技术
- Product Status:活跃
- Current-Collector (Ic) (Max):100 mA
- 操作温度:-65°C ~ 150°C (TJ)
- 系列:Military, MIL-PRF-19500
- 类型:Zener
- 应用:通用型
- 电源线保护:无
- 电压 - 击穿:15.2V
- 功率 - 最大:150 mW
- 功率 - 脉冲峰值:1500W (1.5kW)
- 峰值脉冲电流(10/1000μs):67A
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):22.5V
- 电压 - 反向断态(典型值):13.6V
- 单向通道:1
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:420 @ 2mA, 5V
- 最大集极截止电流:15nA (ICBO)
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):650mV @ 5mA, 100mA
- 电容@频率:-
- 电压 - 集射极击穿(最大值):45 V
- 频率转换:100MHz
相关产品

