整流二极管阵列 / RBR10BGE60ATL

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型号： RBR10BGE60ATL
厂商： ROHM Semiconductor
类别：整流二极管阵列
封装： DO-214AB, SMC
描述： Rectifier Diode Schottky Si 60V 10A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
库存地点：内地
库存： 5014
货期： 1 - 3 个工作日

个

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包装流程

1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输

产品属性产品问答

属性参考值
安装类型：表面贴装
包装/外壳：DO-214AB, SMC
供应商器件包装：DO-214AB (SMCJ)
Package：Bulk
Base Product Number：SMCJ10
厂商：微芯片技术
Product Status：活跃
Peak Rep Rev Volt：60(V)
Peak Forward Voltage：0.65@5A(V)
Operating Temperature Classification：Military
Package Type：DPAK
Maximum Forward Current：10000(mA)
Operating Temp Range：-55C to 150C
Rad Hardened：无
Rectifier Type：肖特基二极管
Mounting：表面贴装
Number of Elements per Chip：2
Qualification：-
Vr - Reverse Voltage：60 V
Ir - Reverse Current：200 uA
Maximum Operating Temperature：+ 150 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：2500
Mounting Styles：SMD/SMT
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage：60 V
Manufacturer：ROHM 半导体
Brand：ROHM 半导体
If - Forward Current：10 A
RoHS：Details
Ifsm - Forward Surge Current：50 A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)：10A
操作温度：-65°C ~ 150°C (TJ)
系列：Military, MIL-PRF-19500
包装：卷带
类型：Zener
应用：通用型
子类别：Diodes & Rectifiers
技术：Si
引脚数量：2 +Tab
配置：双共阴极
速度：Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型：Schottky
反向泄漏电流@ Vr：200 µA @ 60 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：650 mV @ 5 A
电源线保护：无
电压 - 击穿：11.1V
功率 - 脉冲峰值：1500W (1.5kW)
峰值脉冲电流（10/1000μs）：88.2A
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：17V
电压 - 反向断态（典型值）：10V
工作温度 - 结点：150°C
电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）：60 V
产品类别：Schottky Diodes & Rectifiers
双向通道：1
峰值反向电流：200(uA)
电容@频率：-
峰值非恢复性浪涌电流：50(A)
二极管配置：2x Common Cathode Pair
重复峰值反向电压：60V
产品：肖特基二极管
Vf-正向电压：650 mV
产品类别：Schottky Diodes & Rectifiers
产品长度(mm)：6.6(mm)