整流二极管阵列 / RBQ10BGE65ATL

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型号： RBQ10BGE65ATL
厂商： ROHM Semiconductor
类别：整流二极管阵列
封装： Radial
描述： Rectifier Diode Schottky Si 65V 10A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
库存地点：内地
库存： 2694
货期： 1 - 3 个工作日

个

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包装流程

1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输

产品属性产品问答

属性参考值
包装/外壳：Radial
安装类型：表面贴装
供应商器件包装：-
Package：Bulk
厂商：Vishay Foil Resistors (Division of Vishay Precision Group)
Product Status：活跃
Peak Rep Rev Volt：65(V)
Peak Forward Voltage：0.69@5A(V)
Operating Temperature Classification：Military
Package Type：DPAK
Maximum Forward Current：10000(mA)
Operating Temp Range：-55C to 150C
Rad Hardened：无
Rectifier Type：肖特基二极管
Mounting：表面贴装
Number of Elements per Chip：2
Qualification：-
Vr - Reverse Voltage：65 V
Ir - Reverse Current：70 uA
Maximum Operating Temperature：+ 150 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：2500
Mounting Styles：SMD/SMT
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage：65 V
Manufacturer：ROHM 半导体
Brand：ROHM 半导体
If - Forward Current：10 A
RoHS：Details
Ifsm - Forward Surge Current：50 A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)：10A
操作温度：-55°C ~ 125°C
系列：S
包装：卷带
尺寸/尺寸：1.200 L x 0.260 W (30.48mm x 6.60mm)
容差：±0.005%
终止次数：2
温度系数：±2ppm/°C
电阻：39 kOhms
组成：金属箔
功率(瓦特)：2W
子类别：Diodes & Rectifiers
技术：Si
引脚数量：2 +Tab
失败率：-
配置：双共阴极
速度：Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型：Schottky
反向泄漏电流@ Vr：70 µA @ 65 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：690 mV @ 5 A
工作温度 - 结点：150°C
电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）：65 V
产品类别：Schottky Diodes & Rectifiers
峰值反向电流：70(uA)
峰值非恢复性浪涌电流：50(A)
二极管配置：2x Common Cathode Pair
重复峰值反向电压：65V
产品：肖特基二极管
特征：Moisture Resistant, Non-Inductive
Vf-正向电压：690 mV
产品类别：Schottky Diodes & Rectifiers
产品长度(mm)：6.6(mm)
座位高度(最大)：0.413 (10.49mm)