单相BJT晶体管 / JANTXV2N5666

价格起订量
￥ 0 1+
￥ 0 10+
￥ 0 100+
￥ 0 500+
￥ 0 1000+

型号： JANTXV2N5666
厂商： MICROCHIP(美国微芯)
类别：单相BJT晶体管
封装： SOT-23-3
描述： Trans GP BJT NPN 200V 5A 1200mW 3-Pin TO-5 Bag
库存地点：内地
库存： 47
货期： 1 - 3 个工作日

个

总额￥ 0.00000

下载数据手册

付款方式

支付宝
微信支付
银联支付
银行支付

包装流程

1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输

产品属性产品问答

属性参考值
生命周期状态：Production (Last Updated: 2 months ago)
包装/外壳：SOT-23-3
触点镀层：Lead, Tin
底架：通孔
安装类型：通孔
表面安装：NO
供应商器件包装：TO-5
终端数量：2
晶体管元件材料：SILICON
Development Kit：TLV803EA29EVM
Watchdog Timers：无看门狗
Maximum Operating Temperature：+ 125 C
Supply Voltage-Max：6 V
Minimum Operating Temperature：- 40 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：3000
Supply Voltage-Min：1.7 V
Chip Enable Signals：无芯片使能
Mounting Styles：SMD/SMT
Manual Reset：无手动复位
Manufacturer：德州仪器
Brand：德州仪器
RoHS：Details
Battery Backup Switching：无备份
Power Fail Detection：无
Number of Inputs Monitored：1 Input
Schedule B：8541290080
Package：Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)：5 A
Base Product Number：2N5666
厂商：微芯片技术
Product Status：Discontinued at Digi-Key
Package Description：TO-5, 2 PIN
Package Style：FLANGE MOUNT
Package Body Material：METAL
Reflow Temperature-Max (s)：未说明
Operating Temperature-Max：200 °C
Rohs Code：无
Transition Frequency-Nom (fT)：20 MHz
Manufacturer Part Number：JANTXV2N5666
Package Shape：ROUND
Number of Elements：1
Part Life Cycle Code：活跃
Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
Risk Rank：1.45
Part Package Code：TO-5
系列：TLV803E
包装：切割胶带
操作温度：-65°C ~ 200°C (TJ)
JESD-609代码：e0
无铅代码：无
ECCN 代码：EAR99
类型：电压监控
端子表面处理：Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度：200 °C
最小工作温度：-65 °C
HTS代码：8541.29.00.95
子类别：PMIC - Power Management ICs
最大功率耗散：1.2 W
端子位置：BOTTOM
终端形式：PIN/PEG
峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
Reach合规守则：not_compliant
引脚数量：2
参考标准：MIL-19500/455E
JESD-30代码：O-MBFM-P2
资历状况：Qualified
输出类型：Active Low, Open Drain
配置：SINGLE
工作电源电流：0.4 uA
箱体转运：COLLECTOR
功率 - 最大：1.2 W
准确性：0.5 %
晶体管应用：SWITCHING
极性/通道类型：NPN
产品类别：监控电路
晶体管类型：NPN
集电极发射器电压(VCEO)：200 V
最大集电极电流：5 A
阈值电压：2.93 V
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：40 @ 1A, 5V
最大集极截止电流：200nA
JEDEC-95代码：TO-5
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1V @ 1A, 5A
电压 - 集射极击穿（最大值）：200 V
频率转换：-
集电极基极电压(VCBO)：250 V
最大耗散功率(Abs)：15 W
集电极电流-最大值(IC)：5 A
最小直流增益（hFE）：40
集电极-发射器电压-最大值：200 V
复位延迟时间：40 us
产品类别：监控电路