RF BJT 晶体管 / 1002MP

价格起订量
￥ 0 1+
￥ 0 10+
￥ 0 100+
￥ 0 500+
￥ 0 1000+

型号： 1002MP
厂商： MICROCHIP(美国微芯)
类别： RF BJT 晶体管
封装：
描述： Trans GP BJT NPN 50V 0.25A 3-Pin Case 55FW-1
库存地点：内地
库存：暂无库存
货期： 1 - 3 个工作日

个

总额￥ 0.00000

下载数据手册

付款方式

支付宝
微信支付
银联支付
银行支付

包装流程

1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输

产品属性产品问答

属性参考值
生命周期状态：Production (Last Updated: 2 months ago)
底架：Chassis Mount, Surface Mount
表面安装：YES
引脚数：3
终端数量：4
晶体管元件材料：SILICON
Voltage, Rating：200 V
Case Code - in：2010
Case Code - mm：5025
Maximum Operating Temperature：+ 125 C
Unit Weight：0.001199 oz
Minimum Operating Temperature：- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：4000
Mounting Styles：PCB 安装
Part # Aliases：8-1879522-5
Manufacturer：TE Connectivity
Brand：TE Connectivity / Holsworthy
RoHS：Details
Collector-Emitter Breakdown Voltage：50 V
Number of Elements：1
Package Description：DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Package Style：磁盘按钮
Package Body Material：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Manufacturer Package Code：CASE 55FW-1
Reflow Temperature-Max (s)：未说明
Operating Temperature-Max：200 °C
Rohs Code：有
Manufacturer Part Number：1002MP
Package Shape：ROUND
Part Life Cycle Code：Obsolete
Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
Risk Rank：5.66
系列：CRGH
包装：MouseReel
容差：1 %
ECCN 代码：EAR99
温度系数：100 PPM / C
类型：大功率电阻器
电阻：1 MOhms
最高工作温度：200 °C
最小工作温度：-40 °C
应用：高功率
附加功能：HIGH RELIABILITY
子类别：Resistors
额定功率：1 W
最大功率耗散：7 W
技术：厚膜
端子位置：RADIAL
终端形式：FLAT
峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
Reach合规守则：compliant
频率：1.215 GHz
引脚数量：4
终端样式：SMD/SMT
JESD-30代码：O-CRDB-F4
资历状况：不合格
极性：NPN
配置：SINGLE
功率耗散：7 W
晶体管应用：AMPLIFIER
极性/通道类型：NPN
产品类别：厚膜电阻器
集电极发射器电压(VCEO)：50 V
最大集电极电流：250 mA
增益：11 dB
转换频率：960 MHz
发射极基极电压 (VEBO)：3.5 V
集电极电流-最大值(IC)：0.25 A
最高频段：L带
集电极-基极电容-最大值：5 pF
产品：贴片厚膜电阻器
特征：-
产品类别：Thick Film Resistors - SMD
宽度：2.5 mm
高度：0.55 mm
长度：5 mm