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RF BJT 晶体管 / MRF5812GR1
- 价格 起订量
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- 型号： MRF5812GR1
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： RF BJT 晶体管
- 封装：
- 描述： Trans Gp Bjt NPN 15V 0.2A 8-PIN SOIC T/r
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：Obsolete (Last Updated: 2 months ago)
- 底架：表面贴装
- 表面安装：YES
- 引脚数：8
- 终端数量：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- RoHS：Non-Compliant
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：15 V
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
- Package Style：小概要
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：40
- Rohs Code：有
- Transition Frequency-Nom (fT)：5000 MHz
- Manufacturer Part Number：MRF5812GR1
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Microsemi Corporation
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Risk Rank：7.93
- Part Package Code：SOIC
- 包装：Bulk
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：有
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：哑光锡
- 附加功能：低噪音
- 子类别：其他晶体管
- 最大功率耗散：1.25 W
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- Reach合规守则：compliant
- 引脚数量：8
- JESD-30代码：R-PDSO-G8
- 配置：SINGLE
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 极性/通道类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：15 V
- 最大集电极电流：200 mA
- 增益：15.5 dB
- 转换频率：5 GHz
- 最大击穿电压：15 V
- 集电极基极电压(VCBO)：30 V
- 最大耗散功率(Abs)：1.25 W
- 集电极电流-最大值(IC)：0.2 A
- 最小直流增益（hFE）：50
- 集电极-发射器电压-最大值：15 V
- 最高频段：超高频段
- 集电极-基极电容-最大值：2 pF
- 辐射硬化：无
- 无铅：无铅
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