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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / IPW65R190C7
- 价格 起订量
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- 型号： IPW65R190C7
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： MOSFET HIGH POWER_NEW
- 库存地点： 内地
- 库存： 480
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：1 Week
- 包装/外壳：TO-247-3
- 安装类型：通孔
- 供应商器件包装：PG-TO247-3
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：5000
- Manufacturer：Micro Commercial Components (MCC)
- Brand：Micro Commercial Components (MCC)
- RoHS：Details
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：650 V
- Typical Turn-On Delay Time：11 ns
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：3.5 V
- Pd - Power Dissipation：72 W
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
- Unit Weight：0.211644 oz
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Mounting Styles：通孔
- Channel Mode：Enhancement
- Part # Aliases：SP001080142 IPW65R190C7XKSA1
- Qg - Gate Charge：23 nC
- Tradename：CoolMOS
- Rds On - Drain-Source Resistance：168 mOhms
- Typical Turn-Off Delay Time：54 ns
- Id - Continuous Drain Current：13 A
- Package：Bulk
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：13A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- 厂商：Infineon Technologies
- Power Dissipation (Max)：72W (Tc)
- Product Status：活跃
- Package Description：,
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：IPW65R190C7
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Risk Rank：2.22
- 包装：切割胶带
- 系列：CoolMOS C7
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 子类别：MOSFETs
- 技术：Si
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：compliant
- 配置：Single
- 通道数量：1 Channel
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：190mOhm @ 5.7A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 290µA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1150 pF @ 400 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：23 nC @ 10 V
- 上升时间：11 ns
- 漏源电压 (Vdss)：650 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 产品类别：MOSFET
- 晶体管类型：1 N-Channel
- 场效应管特性：-
- 产品类别：MCC
- 宽度：5.21 mm
- 高度：21.1 mm
- 长度：16.13 mm
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