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单MOSFET晶体管 / IPB180P04P4-03
- 价格 起订量
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- 型号： IPB180P04P4-03
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-7
- 描述： MOSFET P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P2
- 库存地点： 内地
- 库存： 5
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：TO-263-7
- 表面安装：YES
- 终端数量：6
- 晶体管元件材料：SILICON
- Dissipation Factor DF：30 %
- Moisture Sensitive：有
- Case Code - in：0805
- Mfr Case Code：P壳体
- Case Code - mm：2012
- Maximum Operating Temperature：+ 125 C
- Unit Weight：0.000226 oz
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：3000
- Manufacturer：KYOCERA AVX
- Voltage Rating DC：10 VDC
- Brand：KYOCERA AVX
- RoHS：Details
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：40 V
- Typical Turn-On Delay Time：48 ns
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：2 V
- Qualification：AEC-Q101
- Pd - Power Dissipation：150 W
- Transistor Polarity：P-Channel
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Channel Mode：Enhancement
- Part # Aliases：IPB18P4P43XT SP000840202 IPB180P04P403ATMA1
- Qg - Gate Charge：190 nC
- Tradename：OptiMOS
- Rds On - Drain-Source Resistance：2.8 mOhms
- Typical Turn-Off Delay Time：72 ns
- Id - Continuous Drain Current：180 A
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6
- Package Style：小概要
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：175 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：IPB180P04P4-03
- Package Shape：RECTANGULAR
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：活跃
- Samacsys Description：MOSFET P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P2
- Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Risk Rank：2.25
- Part Package Code：TO-263
- Drain Current-Max (ID)：180 A
- 系列：TCS
- 包装：切割胶带
- 容差：20 %
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：有
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 电容量：47 uF
- 子类别：Capacitors
- 技术：Si
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：compliant
- 引脚数量：3
- 终端样式：SMD/SMT
- JESD-30代码：R-PSSO-G6
- 配置：Single
- 通道数量：1 Channel
- 泄漏电流：24 uA
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 上升时间：31 ns
- 极性/通道类型：P-CHANNEL
- 产品类别：钽电容器
- 晶体管类型：1 N-Channel
- 等效串联电阻：4 Ohms
- JEDEC-95代码：TO-263
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：180 A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0028 Ω
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：720 A
- DS 击穿电压-最小值：40 V
- 雪崩能量等级（Eas）：90 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：150 W
- 产品：钽固体表面安装件
- 产品类别：Tantalum Capacitors - Solid SMD
- 宽度：1.25 mm
- 高度：1.2 mm
- 长度：2 mm
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