单MOSFET晶体管 / IPP60R190P6

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型号： IPP60R190P6
厂商： Infineon(英飞凌)
类别：单MOSFET晶体管
封装： TO-220-3
描述： Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
库存地点：内地
库存： 625
货期： 1 - 3 个工作日

个

总额￥ 0.00000

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包装流程

1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输

产品属性产品问答

属性参考值
工厂交货时间：1 Week
包装/外壳：TO-220-3
表面安装：NO
终端数量：3
晶体管元件材料：SILICON
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
Mounting Styles：底座安装
Manufacturer：Vishay
Brand：Vishay / Dale
RoHS：Details
Continuous Drain Current：20.2(A)
Drain-Source On-Volt：600(V)
Operating Temperature Classification：Military
Package Type：TO-220
Operating Temp Range：-55C to 150C
Gate-Source Voltage (Max)：20(V)
Channel Mode：Enhancement
Number of Elements：1
Rad Hardened：无
Mounting：通孔
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：600 V
Typical Turn-On Delay Time：15 ns
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：3.5 V
Pd - Power Dissipation：151 W
Transistor Polarity：N-Channel
Maximum Operating Temperature：+ 150 C
Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
Unit Weight：0.068784 oz
Minimum Operating Temperature：- 55 C
Part # Aliases：SP001017066 IPP60R190P6XKSA1
Qg - Gate Charge：37 nC
Tradename：CoolMOS
Rds On - Drain-Source Resistance：190 mOhms
Typical Turn-Off Delay Time：45 ns
Id - Continuous Drain Current：20.2 A
Package Description：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style：FLANGE MOUNT
Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min：-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)：未说明
Operating Temperature-Max：150 °C
Rohs Code：有
Manufacturer Part Number：IPP60R190P6
Package Shape：RECTANGULAR
Part Life Cycle Code：活跃
Samacsys Description：MOSFET Metal Oxide Semi conductor Field Effect Transistor
Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank：1.63
Drain Current-Max (ID)：20.2 A
系列：CSPR
包装：Bulk
JESD-609代码：e3
无铅代码：有
ECCN 代码：EAR99
类型：功率MOSFET
电阻：390 Ohms
端子表面处理：Matte Tin (Sn)
子类别：Resistors
额定功率：6 kOhms
技术：Wirewound
端子位置：SINGLE
终端形式：THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
Reach合规守则：compliant
引脚数量：3 +Tab
终端样式：导线引线
JESD-30代码：R-PSFM-T3
极性：N
配置：Single
通道数量：1 Channel
操作模式：增强型MOSFET
功率耗散：151(W)
箱体转运：DRAIN
晶体管应用：SWITCHING
上升时间：8 ns
极性/通道类型：N-CHANNEL
产品类别：绕线电阻
晶体管类型：1 N-Channel
JEDEC-95代码：TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻：0.19 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)：57 A
DS 击穿电压-最小值：600 V
雪崩能量等级（Eas）：419 mJ
场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
产品类别：Wirewound Resistors - Chassis Mount
宽度：4.4 mm
高度：15.65 mm
长度：10 mm