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单MOSFET晶体管 / PJP60R980E_T0_00001
- 价格 起订量
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- 型号： PJP60R980E_T0_00001
- 厂商： Panjit
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： MOSFET 600V N-Channel Super Junction MOSFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 49
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 供应商器件包装：TO-220AB
- RoHS：Details
- Brand：Welwyn Components / TT Electronics
- Manufacturer：TT Electronics
- Mounting Styles：PCB 安装
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1800
- Unit Weight：0.001429 oz
- Case Code - mm：6432
- Case Code - in：2512
- Qualification：AEC-Q200
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- 厂商：Panjit International Inc.
- Power Dissipation (Max)：58W (Tc)
- Product Status：不用于新设计
- 包装：Reel
- 系列：HVC
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 容差：1 %
- 温度系数：100 PPM / C
- 电阻：5.1 MOhms
- 应用：汽车级
- 子类别：Resistors
- 技术：厚膜
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：980mOhm @ 1.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：300 pF @ 25 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：14.4 nC @ 10 V
- 漏源电压 (Vdss)：600 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 产品类别：厚膜电阻器
- 场效应管特性：-
- 特征：-
- 产品类别：Thick Film Resistors - SMD
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