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单相BJT晶体管 / 2N6296
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: 2N6296
- 厂商: MICROCHIP(美国微芯)
- 类别: 单相BJT晶体管
- 封装:
- 描述: PNP TRANSISTOR
- 库存地点: 内地
- 库存: 22
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架:通孔
- 表面安装:NO
- Package:Bulk
- Base Product Number:2N6296
- 厂商:微芯片技术
- Product Status:活跃
- Collector-Emitter Saturation Voltage:2 V
- Number of Elements:1
- RoHS:Non-Compliant
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity:1
- Manufacturer:Microchip
- Brand:微芯片技术
- Operating Temperature-Max:200 °C
- Rohs Code:无
- Transition Frequency-Nom (fT):4 MHz
- Manufacturer Part Number:2N6296
- Part Life Cycle Code:Transferred
- Ihs Manufacturer:MICROSEMI CORP
- Risk Rank:5
- Part Package Code:TO-66
- 系列:*
- 包装:Tray
- JESD-609代码:e0
- 端子表面处理:Tin/Lead (Sn/Pb)
- 最高工作温度:200 °C
- 最小工作温度:-65 °C
- 子类别:Transistors
- Reach合规守则:not_compliant
- 引脚数量:2
- 极性:PNP
- 配置:Single
- 极性/通道类型:PNP
- 产品类别:达林顿晶体管
- 集电极发射器电压(VCEO):60 V
- 集电极基极电压(VCBO):60 V
- 最大耗散功率(Abs):50 W
- 发射极基极电压 (VEBO):5 V
- 集电极电流-最大值(IC):4 A
- 最小直流增益(hFE):750
- 产品类别:达林顿晶体管
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