单MOSFET晶体管 / STD18N65M2-EP

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型号： STD18N65M2-EP
厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
类别：单MOSFET晶体管
封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
描述： MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
库存地点：内地
库存：暂无库存
货期： 1 - 3 个工作日

个

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包装流程

1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输

产品属性产品问答

属性参考值
安装类型：表面贴装
包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件包装：D-PAK (TO-252)
Number of free ISA-slots：0
Supporting protocol for ASI：无
With floppy disc drive：无
Supporting protocol for Data-Highway：无
Supporting protocol for SERCOS：无
Number of HW-interfaces serial TTY：0
Number of HW-interfaces Wireless：0
Supporting protocol for INTERBUS-Safety：无
Radio standard Wi-Fi 802.11：无
Supporting protocol for DeviceNet：无
Supporting protocol for INTERBUS：无
Supporting protocol for LON：无
Number of free PCMCIA-slots：0
Supporting protocol for DeviceNet Safety：无
Supporting protocol for PROFINET CBA：无
Number of free AGP-slots：0
Supporting protocol for PROFIsafe：无
Suitable for safety functions：无
Supporting protocol for KNX：无
Supporting protocol for SafetyBUS p：无
Supporting protocol for CAN：无
Radio standard UMTS：无
Front built-in possible：无
Radio standard GSM：无
Supporting protocol for MODBUS：无
Supporting protocol for Foundation Fieldbus：无
Supporting protocol for SUCONET：无
Supporting protocol for AS-Interface Safety at Work：无
Max. main memory：32000000000
Radio standard Bluetooth：无
IO link master：无
Radio standard GPRS：无
Package：Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
厂商：STMicroelectronics
Power Dissipation (Max)：110W (Tc)
Product Status：Obsolete
操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
系列：-
技术：MOSFET (Metal Oxide)
深度：0.444
场效应管类型：N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs：375mOhm @ 5.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds：700 pF @ 100 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：14.4 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)：650 V
Vgs（最大值）：±25V
场效应管特性：-
宽度：0.43
高度：0.088