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单MOSFET晶体管 / IRLS4030-7PPBF
- 价格 起订量
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- 型号： IRLS4030-7PPBF
- 厂商： International Rectifier
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 1206 (3216 Metric), Convex, Long Side Terminals
- 描述： IRLS4030 - HEXFET POWER MOSFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：1206 (3216 Metric), Convex, Long Side Terminals
- 引脚数：8
- 供应商器件包装：--
- Package：Bulk
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：190A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V, 10V
- 厂商：International Rectifier
- Power Dissipation (Max)：370W (Tc)
- Product Status：活跃
- 操作温度：-55°C ~ 155°C
- 系列：CRA06
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 尺寸/尺寸：0.126 L x 0.059 W (3.20mm x 1.50mm)
- 容差：±5%
- 零件状态：活跃
- 温度系数：±200ppm/°C
- 应用：--
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- 电阻数：4
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：3.9mOhm @ 110A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
- 电路型态：Isolated
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：11490 pF @ 50 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：140 nC @ 4.5 V
- 每个元件的功率：62.5mW
- 漏源电压 (Vdss)：100 V
- Vgs（最大值）：±16V
- 电阻比漂移：--
- 场效应管特性：-
- 电阻(欧姆)：27k
- 电阻匹配比：--
- 座位高度(最大)：0.024 (0.60mm)
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