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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / BC846215
- 价格 起订量
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- ￥ 0 1000+
- 型号： BC846215
- 厂商： NXP(恩智浦)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： 0805 (2012 Metric)
- 描述： 100 Ma 65 V NPN Si Small Signal Transistor TO-236AB
- 库存地点： 内地
- 库存： 7100
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：0805 (2012 Metric)
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：0805
- 质量：4.535924 g
- Package：Tape & Reel (TR)
- Base Product Number：SG73P2
- 厂商：KOA Speer Electronics, Inc.
- Product Status：活跃
- Collector-Emitter Saturation Voltage：400 mV
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：65 V
- Number of Elements：1
- RoHS：Compliant
- 操作温度：-55°C ~ 155°C
- 系列：SG73P
- 尺寸/尺寸：0.079 L x 0.049 W (2.00mm x 1.25mm)
- 容差：±1%
- 终止次数：2
- 温度系数：±200ppm/°C
- 电阻：4.02 Ohms
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-65 °C
- 组成：厚膜
- 功率(瓦特)：0.25W, 1/4W
- 最大功率耗散：250 mW
- 频率：100 MHz
- 失败率：-
- 极性：NPN
- 元素配置：Single
- 功率耗散：250 mW
- 增益带宽积：100 MHz
- 集电极发射器电压(VCEO)：65 V
- 最大集电极电流：100 mA
- 最高频率：100 MHz
- 转换频率：100 MHz
- 最大击穿电压：65 V
- 集电极基极电压(VCBO)：80 V
- 发射极基极电压 (VEBO)：6 V
- 特征：Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
- 座位高度(最大)：0.024 (0.60mm)
- 宽度：1.4 mm
- 高度：1 mm
- 长度：3 mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- 无铅：无铅
- 评级结果：AEC-Q200
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