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MOSFETs 晶体管阵列 / PJS6603_S2_00001
- 价格 起订量
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- 型号： PJS6603_S2_00001
- 厂商： Panjit
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： SOT-23-6
- 描述： MOSFET 30V Complementary Enhancement Mode MOSFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 27916
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-23-6
- 供应商器件包装：SOT-23-6
- RoHS：Details
- Brand：Welwyn Components / TT Electronics
- Manufacturer：TT Electronics
- Mounting Styles：PCB 安装
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：5000
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Unit Weight：0.000571 oz
- Maximum Operating Temperature：+ 125 C
- Case Code - mm：3216
- Case Code - in：1206
- Voltage, Rating：150 V
- Qualification：AEC-Q200
- Package：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4.4A (Ta), 2.9A (Ta)
- 厂商：Panjit International Inc.
- Product Status：活跃
- 包装：Reel
- 系列：PCF
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 容差：0.1 %
- 温度系数：25 PPM / C
- 电阻：931 Ohms
- 子类别：Resistors
- 额定功率：125 mW (1/8 W)
- 技术：Thin Film
- 功率 - 最大：1.25W (Ta)
- 场效应管类型：N and P-Channel Complementary
- Rds On(Max)@Id,Vgs：48mOhm @ 4.4A, 10V, 110mOhm @ 2.9A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250µA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：235pF @ 15V, 396pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：5.8nC @ 10V, 9.8nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- 产品类别：薄膜电阻器
- 场效应管特性：Standard
- 特征：-
- 产品类别：Thin Film Resistors - SMD
- 长度：3.05 mm
- 高度：0.65 mm
- 宽度：1.55 mm
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