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单相BJT晶体管 / JAN2N3584
- 价格 起订量
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- 型号： JAN2N3584
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-66-2
- 描述： Bipolar Transistors - BJT Power BJT
- 库存地点： 内地
- 库存： 2841
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：TO-66-2
- 安装类型：通孔
- 供应商器件包装：TO-66 (TO-213AA)
- Package：Bulk
- 厂商：KYOCERA AVX
- Product Status：活跃
- Emitter- Base Voltage VEBO：6 V
- Pd - Power Dissipation：35 W
- Transistor Polarity：NPN
- Maximum Operating Temperature：+ 200 C
- DC Collector/Base Gain hfe Min：25
- Collector-Emitter Saturation Voltage：750 mV
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Mounting Styles：通孔
- Manufacturer：Microchip
- Brand：Microchip / Microsemi
- Maximum DC Collector Current：2 A
- DC Current Gain hFE Max：100
- RoHS：N
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：250 V
- Current-Collector (Ic) (Max)：2 A
- 系列：*
- 包装：Tray
- 操作温度：-65°C ~ 200°C (TJ)
- 子类别：Transistors
- 技术：Si
- 配置：Single
- 功率 - 最大：2.5 W
- 产品类别：BJTs - Bipolar Transistors
- 晶体管类型：NPN
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：25 @ 1A, 10V
- 最大集极截止电流：5mA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：750mV @ 125mA, 1A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：250 V
- 频率转换：-
- 集电极基极电压(VCBO)：375 V
- 连续集电极电流：2 A
- 产品类别：Bipolar Transistors - BJT
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