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IGBT晶体管模块 / APT60GT60JRDQ3
- 价格 起订量
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- 型号： APT60GT60JRDQ3
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： IGBT晶体管模块
- 封装： SOT-227-4, miniBLOC
- 描述： IGBT 600V 105A 379W SOT227
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：Production (Last Updated: 2 months ago)
- 安装类型：底座安装
- 包装/外壳：SOT-227-4, miniBLOC
- 底架：Chassis Mount, Screw
- 引脚数：4
- 供应商器件包装：ISOTOP®
- Package：Bulk
- 厂商：EDAC Inc.
- Product Status：活跃
- Current-Collector (Ic) (Max)：105 A
- Base Product Number：APT60GT60
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：600 V
- Voltage Rating (DC)：600 V
- RoHS：Compliant
- Maximum Gate Emitter Voltage：30 V
- Pd - Power Dissipation：379 W
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：600 V
- Brand：Microchip Technology / Atmel
- Manufacturer：Microchip
- Mounting Styles：螺钉安装
- Continuous Collector Current at 25 C：105 A
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2 V
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- 系列：*
- 包装：Tube
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 子类别：IGBTs
- 最大功率耗散：379 W
- 技术：Si
- 额定电流：105 A
- 配置：Single
- 元素配置：Single
- 功率 - 最大：379 W
- 输入：Standard
- 产品类别：IGBT模块
- 集电极发射器电压(VCEO)：600 V
- 最大集电极电流：105 A
- 最大集极截止电流：330 µA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V
- 输入电容：3.1 nF
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V, 60A
- IGBT类型：NPT
- NTC热敏电阻：无
- 输入电容(Cies)@Vce：3.1 nF @ 25 V
- 产品：IGBT硅模块
- 产品类别：IGBT模块
- 辐射硬化：无
- 无铅：无铅
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