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IGBT晶体管模块 / DF650R17IE4D_B2
- 价格 起订量
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- ￥ 0 500+
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- 型号： DF650R17IE4D_B2
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： IGBT晶体管模块
- 封装： DO-214AB (SMC)
- 描述： IGBT Modules
- 库存地点： 内地
- 库存： 1000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：DO-214AB (SMC)
- 表面安装：NO
- 供应商器件包装：-
- 终端数量：10
- 晶体管元件材料：SILICON
- Package：Tape & Reel (TR)
- 厂商：Meritek
- Product Status：活跃
- Package Description：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X10
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：UNSPECIFIED
- Turn-on Time-Nom (ton)：765 ns
- Turn-off Time-Nom (toff)：1870 ns
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：DF650R17IE4D_B2
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Infineon Technologies AG
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Risk Rank：5.67
- Part Package Code：MODULE
- 操作温度：-55°C ~ 150°C
- 系列：SMDJ
- 无铅代码：无
- 类型：Zener
- 应用：通用型
- 端子位置：UPPER
- 终端形式：UNSPECIFIED
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：compliant
- 引脚数量：10
- JESD-30代码：R-XUFM-X10
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
- 箱体转运：ISOLATED
- 电源线保护：-
- 电压 - 击穿：6.67V
- 功率 - 脉冲峰值：3000W (3kW)
- 峰值脉冲电流（10/1000μs）：263.16A
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：11.4V
- 电压 - 反向断态（典型值）：6V
- 晶体管应用：电源控制
- 单向通道：1
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 电容@频率：-
- 集电极电流-最大值(IC)：930 A
- 集电极-发射器电压-最大值：1700 V
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