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单相BJT晶体管 / PBSS5130QAZ
- 价格 起订量
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- 型号： PBSS5130QAZ
- 厂商： NXP(恩智浦)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： 3-XDFN Exposed Pad
- 描述： SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
- 库存地点： 内地
- 库存： 183801
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：3-XDFN Exposed Pad
- 供应商器件包装：DFN1010D-3
- Package：Bulk
- 厂商：PEI-Genesis
- Product Status：活跃
- Current-Collector (Ic) (Max)：1 A
- 系列：*
- 操作温度：150°C (TJ)
- 功率 - 最大：325 mW
- 晶体管类型：PNP
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：250 @ 100mA, 2V
- 最大集极截止电流：100nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：240mV @ 100mA, 1A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V
- 频率转换：170MHz
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