简体中文
图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / BC857C/DG/B4R
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： BC857C/DG/B4R
- 厂商： Nexperia(安世)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： 4-SSIP Module
- 描述： TRANS PNP 45V 0.1A TO236AB
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：4-SSIP Module
- 供应商器件包装：TO-236AB
- Package：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Current Sensing：-
- 厂商：Melexis Technologies NV
- Product Status：活跃
- Current-Collector (Ic) (Max)：100 mA
- Base Product Number：BC857
- 操作温度：-40°C ~ 150°C (TA)
- 系列：-
- 电压 - 供电 ：4.5V ~ 5.5V
- 频率：DC ~ 250kHz
- 输出量：Ratiometric, Voltage
- 最大电流源：15mA
- 通道数量：1
- 极化：双向
- 功率 - 最大：250 mW
- 准确性：-
- 回应时间：2µs
- 晶体管类型：PNP
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：125 @ 2mA, 5V
- 最大集极截止电流：15nA (ICBO)
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：650mV @ 5mA, 100mA
- 传感器类型：霍尔效应
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V
- 线性：±0.2%
- 频率转换：100MHz
- 敏感度：10mV/mT
- 用于测量：DC
相关产品
