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MOSFETs 晶体管阵列 / APTC90DSK12T1G
- 价格 起订量
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- 型号： APTC90DSK12T1G
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： CSON
- 描述： Trans MOSFET N-CH 900V 30A 12-Pin Case SP1
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：CSON
- 底架：Chassis Mount, Screw
- 表面安装：NO
- 引脚数：1
- 终端数量：10
- 晶体管元件材料：SILICON
- Product Depth (mm)：5(mm)
- Operating Temp Range：-40C to 85C
- Rad Hardened：无
- Number of Elements：2
- RoHS：Compliant
- Turn Off Delay Time：400 ns
- Package Description：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X10
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：UNSPECIFIED
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：APTC90DSK12T1G
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Microsemi Corporation
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Risk Rank：5.84
- Drain Current-Max (ID)：30 A
- Usage Level：Industrial grade
- ECCN 代码：EAR99
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-40 °C
- 附加功能：AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
- 子类别：FET 通用电源
- 最大功率耗散：250 W
- 端子位置：UPPER
- 终端形式：UNSPECIFIED
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：compliant
- 引脚数量：12
- JESD-30代码：R-XUFM-X10
- 资历状况：不合格
- 配置：COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：250 W
- 箱体转运：ISOLATED
- 接通延迟时间：70 ns
- 晶体管应用：SWITCHING
- 上升时间：20 ns
- 漏源电压 (Vdss)：900 V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 连续放电电流(ID)：30 A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20 V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.12 Ω
- 筛选水平：INDUSTRIALC
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：75 A
- 输入电容：6.8 nF
- DS 击穿电压-最小值：900 V
- 雪崩能量等级（Eas）：1940 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：250 W
- 最大rds：120 mΩ
- 产品长度(mm)：7(mm)
- 产品高度(mm)：1.4(mm)
- 辐射硬化：无
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