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单相BJT晶体管 / JAN2N6350
- 价格 起订量
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- 型号： JAN2N6350
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-33-4
- 描述： Darlington Transistors Power BJT
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：Production (Last Updated: 2 months ago)
- 包装/外壳：TO-33-4
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 表面安装：NO
- 引脚数：4
- 供应商器件包装：TO-33
- 材料：Aluminum
- 形状：Square, Fins
- 包装冷却：Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)
- 材料处理：蓝色阳极氧化
- 终端数量：4
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：80 V
- RoHS：N
- Maximum Collector Cut-off Current：1 uA
- Maximum Operating Frequency：10 MHz
- Maximum DC Collector Current：5 A
- Brand：Microchip / Microsemi
- Manufacturer：Microchip
- Mounting Styles：通孔
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- DC Collector/Base Gain hfe Min：400
- Maximum Operating Temperature：+ 200 C
- Transistor Polarity：NPN
- Pd - Power Dissipation：1 W
- Emitter- Base Voltage VEBO：12 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.5 V
- Schedule B：8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080
- Number of Elements：1
- Package：Bulk
- Current-Collector (Ic) (Max)：5 A
- 厂商：微芯片技术
- Product Status：活跃
- Package Description：CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
- Package Style：CYLINDRICAL
- Package Body Material：METAL
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：200 °C
- Rohs Code：无
- Manufacturer Part Number：JAN2N6350
- Turn-on Time-Max (ton)：500 ns
- Package Shape：ROUND
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Turn-off Time-Max (toff)：1200 ns
- Risk Rank：1.75
- Part Package Code：TO-33
- 系列：pushPIN™
- 包装：Bulk
- 操作温度：-65°C ~ 200°C (TJ)
- JESD-609代码：e0
- 无铅代码：无
- 零件状态：活跃
- 类型：顶部安装
- 端子表面处理：Tin/Lead (Sn/Pb)
- 最高工作温度：200 °C
- 最小工作温度：-65 °C
- HTS代码：8541.29.00.95
- 子类别：Transistors
- 端子位置：BOTTOM
- 终端形式：WIRE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：compliant
- 引脚数量：4
- 参考标准：MIL-19500/472B
- JESD-30代码：O-MBCY-W4
- 资历状况：Qualified
- 极性：NPN
- 配置：Single
- 附着方法：推销
- 离底高度(鳍的高度)：0.394 (10.00mm)
- 强制空气流动时的热阻：10.46°C/W @ 100 LFM
- 元素配置：Single
- 箱体转运：COLLECTOR
- 功率 - 最大：1 W
- 极性/通道类型：NPN
- 产品类别：达林顿晶体管
- 晶体管类型：NPN - Darlington
- 集电极发射器电压(VCEO)：80 V
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：2000 @ 5A, 5V
- 最大集极截止电流：-
- JEDEC-95代码：TO-33
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1.5V @ 5mA, 5A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V
- 频率转换：-
- 集电极基极电压(VCBO)：80 V
- 发射极基极电压 (VEBO)：12 V
- 集电极电流-最大值(IC)：5 A
- 最小直流增益（hFE）：2000
- 连续集电极电流：5 A
- 自然环境下的热阻：--
- 温度上升时的耗散功率：--
- 产品类别：达林顿晶体管
- 宽度：1.772 (45.00mm)
- 长度：1.772 (45.00mm)
- 直径：--
- 辐射硬化：无
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