单相BJT晶体管 / JANTX2N6353

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型号： JANTX2N6353
厂商： MICROCHIP(美国微芯)
类别：单相BJT晶体管
封装： QFN
描述： Darlington Transistors Power BJT
库存地点：内地
库存： 2622
货期： 1 - 3 个工作日

个

总额￥ 0.00000

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包装流程

1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输

产品属性产品问答

属性参考值
包装/外壳：QFN
安装类型：通孔
表面安装：NO
供应商器件包装：TO-66 (TO-213AA)
终端数量：3
晶体管元件材料：SILICON
Product Depth (mm)：2(mm)
Operating Temp Range：-20C to 70C
Mounting Styles：表面贴装
Unit Weight：0.401976 oz
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
Manufacturer：Microchip
Brand：Microchip / Microsemi
RoHS：N
Package：Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)：5 A
Base Product Number：2N6353
厂商：微芯片技术
Product Status：活跃
Package Description：TO-24, 3 PIN
Package Style：CYLINDRICAL
Package Body Material：METAL
Reflow Temperature-Max (s)：未说明
Operating Temperature-Max：200 °C
Rohs Code：无
Transition Frequency-Nom (fT)：50 MHz
Manufacturer Part Number：JANTX2N6353
Package Shape：ROUND
Number of Elements：1
Part Life Cycle Code：活跃
Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
Risk Rank：5.23
Part Package Code：TO-33
Usage Level：Commercial grade
包装：Bulk
操作温度：-65°C ~ 200°C (TJ)
系列：Military, MIL-PRF-19500/472
JESD-609代码：e0
无铅代码：无
ECCN 代码：EAR99
端子表面处理：Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码：8541.29.00.75
子类别：Transistors
端子位置：BOTTOM
终端形式：WIRE
峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
Reach合规守则：compliant
引脚数量：4
参考标准：MIL-19500/472B
JESD-30代码：O-MBCY-W3
资历状况：Qualified
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
箱体转运：COLLECTOR
功率 - 最大：2 W
极性/通道类型：NPN
产品类别：达林顿晶体管
晶体管类型：NPN - Darlington
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：1000 @ 5A, 5V
最大集极截止电流：-
JEDEC-95代码：TO-66
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：2.5V @ 10mA, 5A
电压 - 集射极击穿（最大值）：150 V
筛选水平：Commercial
频率转换：-
集电极电流-最大值(IC)：5 A
最小直流增益（hFE）：2000
集电极-发射器电压-最大值：150 V
产品类别：达林顿晶体管
产品长度(mm)：1.6(mm)
产品高度(mm)：0.75(mm)