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单MOSFET晶体管 / APT29F80J
- 价格 起订量
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- 型号： APT29F80J
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： SOT-227-4, miniBLOC
- 描述： MOSFET N-CH 800V 31A ISOTOP
- 库存地点： 内地
- 库存： 13
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：Production (Last Updated: 2 months ago)
- 安装类型：底座安装
- 包装/外壳：SOT-227-4, miniBLOC
- 底架：Chassis Mount, Screw
- 引脚数：4
- 供应商器件包装：ISOTOP®
- Manufacturer Part Number：301720
- Manufacturer：PILZ
- Package：Tube
- Base Product Number：APT29F80
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：31A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- 厂商：微芯片技术
- Power Dissipation (Max)：543W (Tc)
- Product Status：活跃
- Id - Continuous Drain Current：31 A
- Typical Turn-Off Delay Time：231 ns
- RoHS：Details
- Rds On - Drain-Source Resistance：210 mOhms
- Brand：微芯片技术
- Mounting Styles：底座安装
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Unit Weight：1.058219 oz
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 30 V, + 30 V
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Transistor Polarity：N-Channel
- Pd - Power Dissipation：543 W
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：2.5 V
- Typical Turn-On Delay Time：53 ns
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：800 V
- Number of Elements：1
- Voltage Rating (DC)：800 V
- Turn Off Delay Time：231 ns
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 系列：POWER MOS 8™
- 包装：Tube
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 子类别：Discrete Semiconductor Modules
- 最大功率耗散：543 W
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- 额定电流：29 A
- 配置：Single
- 通道数量：1 Channel
- 接通延迟时间：53 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：210mOhm @ 24A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：9326 pF @ 25 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：303 nC @ 10 V
- 上升时间：76 ns
- 漏源电压 (Vdss)：800 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 产品类别：Discrete Semiconductor Modules
- 连续放电电流(ID)：31 A
- 栅极至源极电压(Vgs)：30 V
- 输入电容：9.326 nF
- 场效应管特性：-
- 最大rds：210 mΩ
- 产品类别：Discrete Semiconductor Modules
- 辐射硬化：无
- 无铅：无铅
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