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单MOSFET晶体管 / NDS355N
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
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- ￥ 0 1000+
- 型号： NDS355N
- 厂商： Fairchild
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： QFN
- 描述： SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- 库存地点： 内地
- 库存： 388888
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：QFN
- 安装类型：表面贴装
- 供应商器件包装：SOT-23-3
- Product Depth (mm)：3.2(mm)
- Operating Temp Range：-40C to 85C
- Mounting Styles：表面贴装
- Package：Bulk
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1.6A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V, 10V
- 厂商：Fairchild Semiconductor
- Power Dissipation (Max)：500mW (Ta)
- Product Status：活跃
- Usage Level：Industrial grade
- 包装：Bulk
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 系列：-
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- 引脚数量：4
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：85mOhm @ 1.9A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：245 pF @ 10 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：5 nC @ 5 V
- 漏源电压 (Vdss)：30 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 筛选水平：Industrial
- 场效应管特性：-
- 产品长度(mm)：5(mm)
- 产品高度(mm)：0.75(mm)
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