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单MOSFET晶体管 / APT1002RBNG
- 价格 起订量
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- 型号： APT1002RBNG
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装：
- 描述： MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：NO
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Package Description：TO-247AD, 3 PIN
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Operating Temperature-Min：-55 °C
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：APT1002RBNG
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Microsemi Corporation
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Risk Rank：7.98
- Part Package Code：TO-247AD
- Drain Current-Max (ID)：7 A
- JESD-609代码：e1
- 无铅代码：有
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：unknown
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- JEDEC-95代码：TO-247AD
- 漏极-源极导通最大电阻：2 Ω
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：28 A
- DS 击穿电压-最小值：1000 V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
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