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MOSFETs 晶体管阵列 / APTM100A40FT1G
- 价格 起订量
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- 型号： APTM100A40FT1G
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装：
- 描述： MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：NO
- 终端数量：12
- 晶体管元件材料：SILICON
- Package Description：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Package Body Material：UNSPECIFIED
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：APTM100A40FT1G
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Microsemi Corporation
- Number of Elements：2
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Risk Rank：5.84
- Drain Current-Max (ID)：21 A
- JESD-609代码：e1
- 无铅代码：有
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：锡银铜
- 附加功能：雪崩 额定
- 子类别：FET 通用电源
- 端子位置：UPPER
- 终端形式：UNSPECIFIED
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：compliant
- 引脚数量：12
- JESD-30代码：R-XUFM-X12
- 资历状况：不合格
- 配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：ISOLATED
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：21 A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.48 Ω
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：140 A
- DS 击穿电压-最小值：1000 V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：390 W
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