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IGBT晶体管模块 / APTGF100A120T3AG
- 价格 起订量
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- 型号： APTGF100A120T3AG
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： IGBT晶体管模块
- 封装：
- 描述： Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 130A 20-Pin Case SP3
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：Chassis Mount, Screw
- 表面安装：NO
- 引脚数：20
- 终端数量：10
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：1.2 kV
- RoHS：Compliant
- Package Description：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X10
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：UNSPECIFIED
- Turn-on Time-Nom (ton)：190 ns
- Turn-off Time-Nom (toff)：390 ns
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：APTGF100A120T3AG
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Microsemi Corporation
- Number of Elements：2
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Risk Rank：5.72
- ECCN 代码：EAR99
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-40 °C
- 子类别：绝缘栅BIP晶体管
- 最大功率耗散：780 W
- 端子位置：UPPER
- 终端形式：UNSPECIFIED
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：compliant
- 引脚数量：25
- JESD-30代码：R-XUFM-X10
- 资历状况：不合格
- 配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
- 元素配置：Dual
- 箱体转运：ISOLATED
- 晶体管应用：电源控制
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 输入：Standard
- 集电极发射器电压(VCEO)：1.2 kV
- 最大集电极电流：130 A
- 输入电容：6.5 nF
- 最大耗散功率(Abs)：780 W
- 集电极电流-最大值(IC)：130 A
- 集电极-发射器电压-最大值：1200 V
- NTC热敏电阻：有
- 栅极-发射极电压-最大值：20 V
- VCEsat-最大值：3.7 V
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