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RF BJT 晶体管 / MRF240A
- 价格 起订量
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- 型号： MRF240A
- 厂商： Advanced
- 类别： RF BJT 晶体管
- 封装： Axial
- 描述： RF Bipolar Transistors RF Transistor
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：Axial
- 表面安装：YES
- 供应商器件包装：Axial
- 终端数量：4
- 晶体管元件材料：SILICON
- Emitter- Base Voltage VEBO：4 V
- Pd - Power Dissipation：100 W
- Transistor Polarity：NPN
- Maximum Operating Temperature：+ 200 C
- DC Collector/Base Gain hfe Min：10
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Mounting Styles：螺钉安装
- Manufacturer：Advanced Semiconductor, Inc.
- Brand：Advanced Semiconductor, Inc.
- RoHS：Details
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：18 V
- Package Description：FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Operating Temperature-Max：200 °C
- Manufacturer Part Number：MRF240A
- Package Shape：ROUND
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：ASI SEMICONDUCTOR INC
- Risk Rank：5.09
- 操作温度：-55°C ~ 250°C
- 系列：Military, MIL-PRF-39007, RWR81S
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 尺寸/尺寸：0.085 Dia x 0.250 L (2.16mm x 6.35mm)
- 容差：±1%
- 零件状态：活跃
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 温度系数：±20ppm/°C
- 类型：射频双极功率
- 电阻：54.9 Ohms
- 组成：Wirewound
- 功率(瓦特)：1W
- 子类别：Transistors
- 技术：Si
- 端子位置：RADIAL
- 终端形式：FLAT
- Reach合规守则：unknown
- 引脚数量：4
- JESD-30代码：O-CRFM-F4
- 资历状况：不合格
- 工作频率：160 MHz
- 失败率：S (0.001%)
- 配置：Single
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 极性/通道类型：NPN
- 产品类别：射频双极晶体管
- 晶体管类型：双极电源
- 最大耗散功率(Abs)：100 W
- 集电极电流-最大值(IC)：8 A
- 最小直流增益（hFE）：10
- 连续集电极电流：8 A
- 集电极-发射器电压-最大值：18 V
- 最高频段：甚高频段
- 集电极-基极电容-最大值：125 pF
- 特征：Military, Moisture Resistant
- 产品类别：射频双极晶体管
- 座位高度(最大)：--
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